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Ixys

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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看IXGA7N60BD1參考圖片 IXGA7N60BD1 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGA7N60C參考圖片 IXGA7N60C Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.7 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGA7N60CD1參考圖片 IXGA7N60CD1 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGA8N100參考圖片 IXGA8N100 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 16 Amps 1000V 2.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,集電極—射極飽和電壓:2.7 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/...
點擊查看IXGA90N33TC參考圖片 IXGA90N33TC Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 G-series A,B,C
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGB200N60B3參考圖片 IXGB200N60B3 Ixys PLUS264? IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:25,...
點擊查看IXGB75N60BD1參考圖片 IXGB75N60BD1 Ixys PLUS264? IGBT 晶體管 120 Amps 600V 2.3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGC12N60C參考圖片 IXGC12N60C Ixys ISOPLUS220? IGBT 晶體管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGC12N60CD1參考圖片 IXGC12N60CD1 Ixys ISOPLUS220? IGBT 晶體管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGC16N60B2參考圖片 IXGC16N60B2 Ixys ISOPLUS220? IGBT 晶體管 8 Amps 600V 2.3V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGC16N60B2D1參考圖片 IXGC16N60B2D1 Ixys ISOPLUS220? IGBT 晶體管 8 Amps 600V 2.3V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGC16N60C2參考圖片 IXGC16N60C2 Ixys ISOPLUS220? IGBT 晶體管 8 Amps 600V 3 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2...
點擊查看IXGC16N60C2D1參考圖片 IXGC16N60C2D1 Ixys ISOPLUS220? IGBT 晶體管 8 Amps 600V 3 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2...
IXGE200N60B Ixys ISOPLUS227? IGBT 晶體管 175 Amps 600V 2.1 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 ...
點擊查看IXGF25N250參考圖片 IXGF25N250 Ixys ISOPLUS i4-PAC? IGBT 晶體管 I4-Pak
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:2500 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGF30N400參考圖片 IXGF30N400 Ixys ISOPLUS i4-PAC? IGBT 晶體管 I4-Pak
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:25,...
IXGF32N170 Ixys ISOPLUS i4-PAC? IGBT 晶體管 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:3.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/...
點擊查看IXGH100N30C3參考圖片 IXGH100N30C3 Ixys TO-247AD IGBT 晶體管 100 Amps 300V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:300 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGH6N170參考圖片 IXGH6N170 Ixys TO-247AD 118 IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 4 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V,最大工作溫度:+ 150 C...
點擊查看IXGH6N170A參考圖片 IXGH6N170A Ixys TO-247AD 49 IGBT 晶體管 12 Amps 1700 V 7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V,最大工作溫度:+ 150 C...

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