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是專為低損耗電源所設計的功率放大器集成電路。它的內建增益為20，透過pin 1 和pin8腳位間電容的搭配，增益最高可達200。LM386可使用電池為供應電源，輸入電壓范圍可由4V~12V，無作動時僅消耗4mA電流，且失真低。LM386的內部電路圖及引腳排列圖如圖1、圖2所示，表1為其電氣特性。

圖1. 內部電路圖

圖2 引腳功能圖

LM386電氣參數

極限參數：

電源電壓

（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V

電源電壓（LM386N-4）22V

封裝耗散

（LM386N）1.25W

（LM386M）0.73W

（LM386MM-1）0.595W

輸入電壓±0.4V

儲存溫度-65℃至+150℃

操作溫度0℃至+70℃

結溫+150℃



焊接信息

焊接（10秒）260℃

小外形封裝（SOIC和MSOP）

氣相（60秒）215℃

紅外（15秒）220℃



熱電阻

qJC （DIP）37℃/W

qJA （DIP）107℃/W

qJC （SO封裝）35℃/W

qJA （SO封裝）172℃/W

qJA （MSOP封裝）210℃/W

qJC （MSOP封裝）56℃/W

表1. LM386電氣特性

Parameter 參數	測試條件	最小	典型	最大	單位
Operating Supply Voltage (VS) 操作電源電壓	-	-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1		4	-	12	V
LM386N-4		5	-	18	V
Quiescent Current (IQ) 靜態電流	VS = 6V, VIN =0		4	8	mA
Output Power (POUT) 輸出功率	-	-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1	VS = 6V, RL =8W, THD = 10%	250	325	-	mW
LM386N-3	VS = 9V, RL =8W, THD = 10%	500	700	-	mW
LM386N-4	VS=16V, RL =32W, THD = 10%	700	1000	-	mW
Voltage Gain (AV) 電壓增益	VS = 6V, f = 1 kHz		26	-	dB
	10 μF from Pin 1 to 8		46	-	dB
Bandwidth (BW) 寬帶	VS = 6V, Pins 1 and 8 Open		300	-	kHz
Total Harmonic Distortion (THD)總諧波失 真	VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open	-	0.2	-	%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 電源抑制比	VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output	-	50	-	dB
Input Resistance (RIN) 輸入電阻	-	-	50	-	kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 輸入偏置電流	VS = 6V, Pins 2 and 3 Open	-	250	-	nA

LM386應用電路

圖3的應用電路為增益20的情形，于pin 1及pin 8間加一個10mF的電容即可使增益變成200，如圖4所示。圖中10kW的可變電阻是用來調整揚聲器音量大小，若直接將Vin輸入即為最音量最大的狀態。

圖3功放電路工作原理 圖4

圖5 調幅收音機功率放大器