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【圖】達林頓管檢測方法
(2012/1/22 0:06:00)
達林頓管檢測方法

達林頓管檢測方法

達林頓晶體管DT(Dar1ington Transistor)亦稱復合晶體管。它采用復合過接方式,將兩只或更多只晶體管的集電極連在一起,而將第一只晶體管的發射極直接耦合到第二只晶體管的基極,依次級連而成,最后引出E、B、C三個電極。





圖1 達林頓管的基本電路

圖1是由兩只NPN或PNP型晶體管構成達林頓管的基本電路。假定達林頓管由N只晶體管(TI-Tn)組成,每只晶體管的放大系數分別這hFE1、hFE2、hFEn。則總放大系數約等于各管放大系數的乘積:

hFE≈hFE1•hFE2……hFEn

因此,達林頓管具有很高的放大系數,值可以達到幾千倍,甚至幾十萬倍。利用它不僅能構成高增益放大器,還能提高驅動能力,獲得大電流輸出,構成達林頓功率開關管。在光電耦合器中,也有用達林頓管作為接收管的。達林頓管產品大致分成兩類,一類是普通型,內部無保護電路,另一類則帶有保護電路。下面分別介紹使用萬用表檢測這兩類達林頓管的方法。

1.普通達林頓管的檢測方法

普通達林頓管內部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復合而成,其基極B與發射極E之間包含多個發射結。檢測時可使用萬用表的R×1k或R×10k檔來測量

測量達林頓管各電極之間的正、反向電阻值。正常時,集電極C與基極B之間的正向電阻值(測NPN管時,黑表筆接基極B;測PNP管時,黑表筆接集電極C)值與普通硅晶體管集電結的正向電阻值相近,為3~10kΩ之間,反向電阻值為無窮大。而發射極E與基極B之間的的正向電阻值(測NPN管時,黑表筆接基極 B;測PNP管時,黑表筆接發射極E)是集電極C與基極B之間的正、反向電阻值的2~3倍,反向電阻值為無窮大。集電極C與發射極E之間的正、反向電阻值均應接近無窮大。若測得達林頓管的C、E極間的正、反向電阻值或BE極、BC極之間的正、反向電阻值均接近0,則說明該管已擊穿損壞。若測得達林頓管的 BE極或BC極之間的、反向電阻值為無窮大,則說明該管已開路損壞。

2. 大功率達林頓管的檢測

大功率達林頓管在普通達林頓管的基礎上增加了由續流二極管和泄放電阻組成的保護電路,在測量時應注意這些元器件對測量數據的影響。

用萬用表R×1k或R×10k檔,測量達林頓管集電結(集電極C與基極B之間)的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值(NPN管的基極接黑表筆時)應較小,為1~10kΩ,反向電阻值應接近無窮大。若測得集電結的正、反向電阻值均很小或均為無窮大,則說明該管已擊穿短路或開路損壞。

用萬用表R×100檔,測量達林頓管發射極E與基極B之間的正、反向電阻值,正常值均為幾百歐姆至幾千歐姆(具體數據根據B、E極之間兩只電阻器的阻值不同而有所差異。例如,BU932R、MJ10025等型號大功率達林頓管B、E極之間的正、反向電阻值均為600Ω左右),若測得阻值為0或無窮大,則說明被測管已損壞。

用萬用表R×1k或R×10k檔,測量達林頓管發射極E與集電極C之間的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值(測NPN管時,黑表筆接發射極E,紅表筆接集電極C;測PNP管時,黑表筆接集電極C,紅表筆接發射極E)應為5~15kΩ(BU932R為7kΩ),反向電阻值應為無窮大,否則是該管的C、E極(或二極管)擊穿或開路損壞。

注意事項:

某些改進型達林頓管還在R1、R2各并聯一只二極管D2、D3,當B-E之間加反向電壓時,測出的就不是(R1+R2)電阻之和,而是兩只二極管的正向壓降之和(VF2+VF3)。



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