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XPN3R804NC,L1XHQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
數(shù)量：: 4113
說明：: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON

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XPN3R804NC,L1XHQ-8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）圖片

XPN3R804NC,L1XHQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：840mW（Ta），100W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2230 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.8 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVIII
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是XPN3R804NC,L1XHQ的詳細(xì)信息，包括XPN3R804NC,L1XHQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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