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TSM7N65CI C0

廠家：: Taiwan Semiconductor
封裝：: ITO-220
數(shù)量：: 3456
說明：: MOSFET 650V 3Amp N Channel Pwr MOSFET Isolated

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TSM7N65CI C0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：14 nS
功率耗散：30 W
柵極電荷 Qg：46 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3.7 S
下降時(shí)間：19 nS
封裝形式：ITO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：7 A
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

以上是TSM7N65CI C0的詳細(xì)信息，包括TSM7N65CI C0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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