色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SUD90330E-GE3

SUD90330E-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 5301
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA

一、本商品被瀏覽0次.

SUD90330E-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1172 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：37.5 毫歐 @ 12.2A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35.8A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：200 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：ThunderFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SUD90330E-GE3的詳細(xì)信息，包括SUD90330E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1