色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > STS9P2UH7

STS9P2UH7

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 8-SOIC
數量：: 3267
說明：: MOSFET P-CH 20V 9A 8SO

一、本商品被瀏覽0次.

STS9P2UH7 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2390 pF @ 16 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：22.5 毫歐 @ 4.5A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：停產
包裝：STripFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STS9P2UH7的詳細信息，包括STS9P2UH7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1