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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):114W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1430 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):30.8 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):89 毫歐 @ 11.5A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):23A(Tc)
漏源電壓(Vdss):300 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:MDmesh? M8
系列:卷帶(TR)
品牌:STMicroelectronics
以上是STL26N30M8的詳細(xì)信息,包括STL26N30M8廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!