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STD19N3LLH6AG

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 DPAK
數量:
 3789  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
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STD19N3LLH6AG-DPAK圖片

STD19N3LLH6AG PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):30W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):321 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.7 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):33 毫歐 @ 5A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):10A(Tc)
漏源電壓(Vdss):30 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:Automotive, AEC-Q101, STripFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:STMicroelectronics

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