色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI8904EDB-T2-E1

SI8904EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-Micro Foot?（2.36x1.56）
數量：: 1170
說明：: MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI8904EDB-T2-E1-6-Micro Foot?（2.36x1.56）圖片

SI8904EDB-T2-E1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：1500 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：2000 ns
功率耗散：1000 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2000 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Dual Source
漏極連續電流：3.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8904EDB-T2-E1的詳細信息，包括SI8904EDB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1