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SI4630DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數量:
 6775  
說明:
 MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
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SI4630DY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4630DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4630DY-GE3
典型關閉延遲時間:47 ns, 60 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:122 ns, 93 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns, 9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.7 mOhms
漏極連續電流:27 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4630DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4630DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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