SCTWA90N65G2V

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-247 長引線
數(shù)量：: 1026
說明：: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

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SCTWA90N65G2V PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：119A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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