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SCTWA60N120G2-4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-247-4
數(shù)量：: 918
說明：: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

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SCTWA60N120G2-4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：388W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 30A，18V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是SCTWA60N120G2-4的詳細信息，包括SCTWA60N120G2-4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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