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SCTW100N65G2AG

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: HiP247?
數量：: 1044
說明：: SICFET N-CH 650V 100A HIP247

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SCTW100N65G2AG PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：420W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3315 pF @ 520 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：162 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 50A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是SCTW100N65G2AG的詳細信息，包括SCTW100N65G2AG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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