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SCTH70N120G2V-7

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: H2PAK-7
數量：: 1143
說明：: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

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SCTH70N120G2V-7 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：469W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3540 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 50A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：90A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是SCTH70N120G2V-7的詳細信息，包括SCTH70N120G2V-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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