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SCT3017ALGC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247N
數(shù)量：: 1260
說明：: 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

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SCT3017ALGC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：427W
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2884 pF @ 500 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：172 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 23.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：22.1 毫歐 @ 47A，18V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：118A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SCT3017ALGC11的詳細信息，包括SCT3017ALGC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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