色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > S34MS02G104BHB013

S34MS02G104BHB013

廠家：: Cypress Semiconductor Corp
封裝：: 63-BGA（11x9）
數量：: 8523
說明：: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA

一、本商品被瀏覽0次.

S34MS02G104BHB013 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：63-BGA（11x9）
封裝/外殼：63-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.95V
訪問時間：45 ns
寫周期時間 - 字，頁：45ns
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：128M x 16
存儲容量：2Gb
技術：閃存 - NAND
存儲器格式：閃存
存儲器類型：非易失
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：Automotive, AEC-Q100, MS-1
系列：卷帶（TR）
品牌：Cypress Semiconductor Corp

以上是S34MS02G104BHB013的詳細信息，包括S34MS02G104BHB013廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

MT41K512M16HA-107 IT:A