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RW1C015UNT2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 6-WEMT
數量：: 3672
說明：: MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT

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RW1C015UNT2R PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：400mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：110 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.8 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RW1C015UNT2R的詳細信息，包括RW1C015UNT2R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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