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RW1A013ZPT2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 6-WEMT
數量：: 4464
說明：: MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT

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RW1A013ZPT2R PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：400mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：290 pF @ 6 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.4 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：260 毫歐 @ 1.3A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：12 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RW1A013ZPT2R的詳細信息，包括RW1A013ZPT2R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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