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RUE002N05TL

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 EMT3
數量:
 3663  
說明:
 MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
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RUE002N05TL-EMT3圖片

RUE002N05TL PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):150mW(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):25 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.2 歐姆 @ 200mA,4.5V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):200mA(Ta)
漏源電壓(Vdss):50 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RUE002N05TL的詳細信息,包括RUE002N05TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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