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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：650mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：870 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 6A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor
以上是RT1C060UNTR的詳細信息，包括RT1C060UNTR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
