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RS1L180GNTB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-HSOP
數量:
 1458  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
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RS1L180GNTB-8-HSOP圖片

RS1L180GNTB PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):3W(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3230 pF @ 30 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):63 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.6 毫歐 @ 18A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):18A(Ta),68A(Tc)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RS1L180GNTB的詳細信息,包括RS1L180GNTB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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