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RS1E350GNTB

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 8-HSOP
數(shù)量：
 1512  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
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RS1E350GNTB-8-HSOP圖片

RS1E350GNTB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4060 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 35A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Ta），80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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