色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-HSOP
數量：: 7569
說明：: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

一、本商品被瀏覽0次.

RS1E200BNTB PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），25W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3100 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：59 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.9 毫歐 @ 20A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：20A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RS1E200BNTB的詳細信息，包括RS1E200BNTB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1