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RQ3E180BNTB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-PowerVDFN
數(shù)量:
 12495  
說明:
 MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
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RQ3E180BNTB-8-PowerVDFN圖片

RQ3E180BNTB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:8-PowerVDFN
封裝/外殼:8-HSMT(3.2x3)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:2W(Ta),20W(Tc)
頻率 - 開關(guān):-
電流 - 輸出:3500 pF @ 15 V
電壓 - 輸出(最大值):±20V
電壓 - 輸出(最小值/固定):37 nC @ 4.5 V
電壓 - 輸入(最大值):2.5V @ 1mA
電壓 - 輸入(最小值):3.9 毫歐 @ 18A,10V
輸出數(shù):4.5V,10V
輸出類型:39A(Tc)
拓撲:30 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RQ3E180BNTB的詳細信息,包括RQ3E180BNTB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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