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RQ3E110AJTB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-HSMT（3.2x3）
數(shù)量：: 10255
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT

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RQ3E110AJTB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：13.5 nC @ 4.5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：11.7mOhm @ 11A，4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta），24A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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