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RHU003N03FRAT106

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 UMT3
數量:
 5256  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
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RHU003N03FRAT106-UMT3圖片

RHU003N03FRAT106 PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):200mW
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):20 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.2 歐姆 @ 300mA,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):300mA(Ta)
漏源電壓(Vdss):30 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:不適用于新設計
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RHU003N03FRAT106的詳細信息,包括RHU003N03FRAT106廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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