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RFD14N05_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 IPAK
數(shù)量:
 2637  
說(shuō)明:
 MOSFET TO-251AA N-Ch Power
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RFD14N05_Q-IPAK圖片

RFD14N05_Q PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns
上升時(shí)間:26 ns
功率耗散:48 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:17 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流:14 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:50 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RFD14N05_Q的詳細(xì)信息,包括RFD14N05_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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