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RDD022N60TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: CPT3
數量：: 6435
說明：: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

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RDD022N60TL PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：20W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：175 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6.7 歐姆 @ 1A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：2A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RDD022N60TL的詳細信息，包括RDD022N60TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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