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R8008ANJFRGTL

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 LPTS
數量：
 2529  
說明：
 MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
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R8008ANJFRGTL-LPTS圖片

R8008ANJFRGTL PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：195W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1100 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：38 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.03 歐姆 @ 4A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：800 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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