R8006KND3TL1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 3784
說明：: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A

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R8006KND3TL1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：900 毫歐 @ 3A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：800 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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