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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：307W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2350 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：56 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 960μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：140 毫歐 @ 14.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：30A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor
以上是R6530KNX3C16的詳細信息，包括R6530KNX3C16廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
