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R5011FNX

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220FM
數量：: 2340
說明：: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

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R5011FNX PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：950 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：520 毫歐 @ 5.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta），5.4A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：-
系列：散裝,散裝
品牌：Rohm Semiconductor

以上是R5011FNX的詳細信息，包括R5011FNX廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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