色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTD4857N-35G

NTD4857N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-Pak
數量：: 2268
說明：: MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK

一、本商品被瀏覽0次.

NTD4857N-35G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18.6 ns, 26 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：20.6 ns, 18.7 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6.8 ns, 3.6 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0057 Ohms
漏極連續電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4857N-35G的詳細信息，包括NTD4857N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1