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NTD4857N-1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-PAK
數量：
 2259  
說明：
 MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK
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NTD4857N-1G-I-PAK圖片

NTD4857N-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18.6 ns, 26 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：20.6 ns, 18.7 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6.8 ns, 3.6 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：DPAK-SL
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0057 Ohms
漏極連續電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4857N-1G的詳細信息，包括NTD4857N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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