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NTD4856N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-Pak
數量：: 2241
說明：: MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK

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NTD4856N-35G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：27.2 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：22.5 ns
功率耗散：2.14 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：73 S
下降時間：7.5 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：3-IPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.3 mOhms
漏極連續電流：16.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4856N-35G的詳細信息，包括NTD4856N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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