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NTD4806N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-251-3 短截引線，IPak
數量：: 1827
說明：: MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM

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NTD4806N-35G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18.3 ns, 26 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：29.7 ns, 23.8 ns
功率耗散：2.14 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：14 S
下降時間：7.8 ns, 4.7 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6 m Ohms
漏極連續電流：14 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4806N-35G的詳細信息，包括NTD4806N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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