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中文參數如下：
封裝：-
封裝/外殼：-
安裝類型：-
工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
電壓 - 供電：4.5V ~ 5.5V
訪問時間：30 ns
寫周期時間 - 字，頁：-
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：1M x 16
存儲容量：16Mb
技術：DRAM
存儲器格式：DRAM
存儲器類型：易失
產品狀態：停產
包裝：-
系列：托盤
品牌：Rohm Semiconductor

以上是MSM5118160F-60T3K-MT的詳細信息，包括MSM5118160F-60T3K-MT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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