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MSCSM170HM45CT3AG

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數量:
 5001  
說明:
 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
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MSCSM170HM45CT3AG PDF參數資料

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中文參數如下:

封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:319W(Tc)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3300pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):178nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):45 毫歐 @ 30A,20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):64A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1700V(1.7kV)
FET 功能:-
配置:4 N 溝道(全橋)
技術:碳化硅(SiC)
產品狀態:在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是MSCSM170HM45CT3AG的詳細信息,包括MSCSM170HM45CT3AG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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