色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > MSCSM120VR1M11CT6AG

MSCSM120VR1M11CT6AG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數量：: 5100
說明：: PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

一、本商品被瀏覽0次.

MSCSM120VR1M11CT6AG PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：1.042kW（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9000pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：696nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 9mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10.4 毫歐 @ 120A，20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：251A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N 溝道（相角）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM120VR1M11CT6AG的詳細信息，包括MSCSM120VR1M11CT6AG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1