MSCSM120TAM31CT3AG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 4605
說(shuō)明：: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

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MSCSM120TAM31CT3AG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：395W（Tc）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：232nC @ 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：89A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：6 N-溝道（3 相橋）
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Microchip Technology

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