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MSCSM120HM31TBL2NG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 4866
說明：: PM-MOSFET-SIC-BL2

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MSCSM120HM31TBL2NG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：310W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：232nC @ 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：79A
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 溝道（全橋）
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM120HM31TBL2NG的詳細(xì)信息，包括MSCSM120HM31TBL2NG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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