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MSCSM120HM16CTBL3NG

廠家：: Microchip Technology
封裝：: -
數量：: 3618
說明：: PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3

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MSCSM120HM16CTBL3NG PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：560W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6040pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：464nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 2mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 80A，20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：150A
漏源電壓（Vdss）：1200V
FET 功能：-
配置：4 N 溝道（相位橋臂）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM120HM16CTBL3NG的詳細信息，包括MSCSM120HM16CTBL3NG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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