色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > MSCSM120DDUM31CTBL2NG

MSCSM120DDUM31CTBL2NG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數量：: 4965
說明：: PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

一、本商品被瀏覽0次.

MSCSM120DDUM31CTBL2NG PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：310W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：232nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：79A
漏源電壓（Vdss）：1200V
FET 功能：-
配置：4 N 溝道，共源
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM120DDUM31CTBL2NG的詳細信息，包括MSCSM120DDUM31CTBL2NG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1