色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > MSCMC120AM04CT6LIAG

MSCMC120AM04CT6LIAG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 6018
說明：: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

一、本商品被瀏覽0次.

MSCMC120AM04CT6LIAG PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：1754W（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：16700pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：966nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 90mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.7 毫歐 @ 300A，20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：388A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N 溝道（相角）
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Microchip Technology

以上是MSCMC120AM04CT6LIAG的詳細(xì)信息，包括MSCMC120AM04CT6LIAG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1