色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > CZT2955-TR

CZT2955-TR

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-252
數量：: 7776
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Power

一、本商品被瀏覽0次.

CZT2955-TR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：2000 mW
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
增益帶寬產品fT：2.5 MHz
最大直流電集電極電流：6 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：PNP
RoHS：過渡期間
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是CZT2955-TR的詳細信息，包括CZT2955-TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：