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IXTT170N10P-TR

廠家：: IXYS
封裝：: TO-268
數量：: 2619
說明：: MOSFET N-CH 100V 170A TO268

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IXTT170N10P-TR PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：715W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：198 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9 毫歐 @ 85A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：170A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Polar
系列：卷帶（TR）
品牌：IXYS

以上是IXTT170N10P-TR的詳細信息，包括IXTT170N10P-TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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