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IXTT10N100D2

廠家：: IXYS
封裝：: TO-268AA
數量：: 4518
說明：: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

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IXTT10N100D2 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：695W（Tc）
FET 功能：耗盡模式
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5320 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：200 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.5 歐姆 @ 5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：10A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Depletion
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTT10N100D2的詳細信息，包括IXTT10N100D2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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