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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):180W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):960 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):19 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):300 毫歐 @ 6A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):12A(Tc)
漏源電壓(Vdss):700 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:Ultra X2
系列:管件
品牌:IXYS
以上是IXTP12N70X2的詳細信息,包括IXTP12N70X2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!