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IXTA6N100D2HV

廠家：: IXYS
封裝：: TO-263HV
數量：: 3753
說明：: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV

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IXTA6N100D2HV PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：耗盡模式
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2650 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：95 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.2 歐姆 @ 3A，0V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6A（Tj）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Depletion
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTA6N100D2HV的詳細信息，包括IXTA6N100D2HV廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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